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StrataLight成功研制出100Gbps DWDM轉發(fā)器應用芯片組

摘要:2008年6月24日,領先的40Gbps光傳輸子系統供應商StrataLight通訊公司今天宣布研制出針對100Gbps DWDM轉發(fā)器應用的鍺硅(SiGe)芯片組。
    2008年6月24日,領先的40Gbps光傳輸子系統供應商StrataLight通訊公司今天宣布研制出針對100Gbps DWDM轉發(fā)器應用的鍺硅(SiGe)芯片組。
 
    這些芯片的開發(fā)是由StrataLight的尖端技術人員完成的,融合了混合信號ASIC設計、高速RF互連以及轉發(fā)器子系統集成等技術。其中復用器芯片已經成功地通過了速率在112Gbp至136Gbps的測試,將用來100GE DWDM轉發(fā)器線路端光接口,也可以按照OTU4框架支持100GE IP負載和下一代FEC開銷。
 
    “運營商們發(fā)現,受因特網和視頻業(yè)務的推動,IP網絡流量正出現持續(xù)強勁增長。StrataLight正投入巨資來發(fā)展用于100GE子系統的核心技術,來幫助運營商來增加他們在現有光纖網絡上增加帶寬。”StrataLight總裁兼CEO Shri Dodani表示。(編譯:于占濤)
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