德州儀器宣布600億美元芯片制造投資計(jì)劃

  ICC訊  本周三（2025年6月18日），德州儀器（TI）高調(diào)宣布，將投入600億美元用于擴(kuò)建其在美國(guó)得克薩斯州的兩個(gè)生產(chǎn)基地以及猶他州的一個(gè)基地。該公司還獲得了包括蘋(píng)果、福特、美敦力、英偉達(dá)和SpaceX等客戶(hù)以及美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)Howard Lutnick的背書(shū)。

  實(shí)際上，這個(gè)引人注目的投資總額是現(xiàn)有投資的匯總，外加看似為得克薩斯州謝爾曼基地兩座新晶圓廠SM3和SM4新增的投資。在2021年11月最初宣布謝爾曼投資計(jì)劃時(shí)，為四座晶圓廠的總投資潛力為300億美元。在今天的官方聲明中，謝爾曼四座晶圓廠的總投資額已提升至400億美元：包括SM1（已完工，預(yù)計(jì)今年開(kāi)始初步生產(chǎn)）、SM2（外部結(jié)構(gòu)現(xiàn)已完工），以及SM3和SM4（被指定為支持未來(lái)需求計(jì)劃的一部分）。

  與此同時(shí)，在2023年，TI宣布為其在猶他州李海的兩座晶圓廠投資110億美元，并額外投入900萬(wàn)美元與高山學(xué)區(qū)（Alpine School District）合作，以改善學(xué)生的機(jī)會(huì)和成果。今日，TI表示正在提升LFAB1的產(chǎn)能，這是該公司在李海的首座300毫米晶圓廠；而第二座李海晶圓廠LFAB2的建設(shè)也進(jìn)展順利，該廠將與LFAB1相連。

  最后，在得克薩斯州理查森，TI今日表示其第二座晶圓廠RFAB2正持續(xù)提升至滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)，該廠是建立在公司推出的全球首座300毫米模擬晶圓廠RFAB1的基礎(chǔ)之上。

  TI總裁兼首席執(zhí)行官Haviv Ilan在公司今天的新聞稿中表示：“TI正在大規(guī)模構(gòu)建可靠、低成本的300毫米產(chǎn)能，以提供對(duì)幾乎各類(lèi)電子系統(tǒng)都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理芯片。蘋(píng)果、福特、美敦力、英偉達(dá)和SpaceX等領(lǐng)先的美國(guó)公司都依賴(lài)TI世界一流的技術(shù)和制造專(zhuān)長(zhǎng)，我們很榮幸能與他們以及美國(guó)政府合作，共同釋放美國(guó)創(chuàng)新的未來(lái)。”

  美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)Howard Lutnick對(duì)此表示支持并補(bǔ)充道：“特朗普總統(tǒng)已將增加美國(guó)半導(dǎo)體制造作為優(yōu)先事項(xiàng)——這包括用于人們?nèi)粘ｋ娮赢a(chǎn)品的基礎(chǔ)半導(dǎo)體。我們與TI的合作關(guān)系將支持美國(guó)芯片制造未來(lái)數(shù)十年的發(fā)展。”

  雖然今天的公告中僅包含蘋(píng)果、福特、美敦力和英偉達(dá)首席執(zhí)行官們非常簡(jiǎn)短的引述，但SpaceX的背書(shū)提供了一些額外細(xì)節(jié)。SpaceX明確表示正越來(lái)越多地利用TI的高速工藝技術(shù)，將其星鏈（Starlink）衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)與TI在得克薩斯州謝爾曼制造的最新300毫米鍺硅（SiGe）技術(shù)相連接。

  SpaceX總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官Gwynne Shotwell在準(zhǔn)備好的聲明中表示：“SpaceX每天在美國(guó)本土制造數(shù)萬(wàn)套星鏈套件——并且我們正在印刷電路板（PCB）制造和芯片封裝方面進(jìn)行巨額投資以進(jìn)一步擴(kuò)展。TI在美國(guó)制造的半導(dǎo)體對(duì)于確保我們產(chǎn)品的美國(guó)供應(yīng)鏈至關(guān)重要，其先進(jìn)的硅制造能力提供了我們滿(mǎn)足全球高速互聯(lián)網(wǎng)日益增長(zhǎng)需求所需的性能和可靠性?！?