專(zhuān)訪量引科技：瞄準(zhǔn)AI算力瓶頸 以1.6T/3.2T起步的硅光芯片公司

  ICC訊 2026年，AI算力產(chǎn)業(yè)迎來(lái)第三次投資浪潮，多模態(tài)模型與Agentic AI推動(dòng)算力需求再創(chuàng)新高，1.6T光互連加速起量，3.2T技術(shù)進(jìn)入前瞻布局。硅光芯片憑借高集成度、可擴(kuò)展性與成本優(yōu)勢(shì)，成為高速光模塊的核心方案，國(guó)產(chǎn)硅光產(chǎn)業(yè)迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化替代與技術(shù)升級(jí)的雙重機(jī)遇。

  近日，ICC訊石采訪了硅光子傳輸芯片(PIC)初創(chuàng)公司量引科技的CTO&聯(lián)合創(chuàng)始人趙京雄，與趙總就公司戰(zhàn)略布局、技術(shù)突破及行業(yè)趨勢(shì)進(jìn)行了深入交流。依托前瞻布局、自主核心技術(shù)的技術(shù)路線，量引科技在國(guó)產(chǎn)硅光賽道中嶄露頭角。

（合影）量引科技的CTO&聯(lián)合創(chuàng)始人趙京雄與ICC訊石

  初心與內(nèi)核：MRM技術(shù)構(gòu)筑差異化壁壘

  量引科技成立于2024年，聚焦于解決AI算力爆發(fā)背景下光互連成為系統(tǒng)性能瓶頸這一核心問(wèn)題，趙京雄介紹公司將1.6T/3.2T硅光子集成芯片定為核心戰(zhàn)略方向，這一決策源自公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)為國(guó)內(nèi)外頂尖研發(fā)與制造人才，從底層光子集成芯片切入，致力于打造具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能硅光解決方案的實(shí)力。

  公司核心差異化優(yōu)勢(shì)集中于MRM(微環(huán)調(diào)制器)技術(shù)，依托全自主IP與自研PDK，MRM技術(shù)可有效抵抗生產(chǎn)工藝變異，從設(shè)計(jì)端提升芯片整體良率，為規(guī)?；慨a(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

  硅光芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提速：三大特質(zhì)定行業(yè)格局

  當(dāng)前，傳統(tǒng)分立光器件EML芯片受限于產(chǎn)能與成本，難以完全匹配AI算力需求。硅光方案在400/800G及以上速率的光模塊中快速滲透，已占據(jù)整體光模塊市場(chǎng)約四成份額。國(guó)內(nèi)企業(yè)在芯片設(shè)計(jì)能力上與國(guó)際先進(jìn)公司氣瓶，但高端工藝、異質(zhì)集成技術(shù)及穩(wěn)定量產(chǎn)能力仍是行業(yè)發(fā)展面臨的短板，國(guó)產(chǎn)化替代持續(xù)提速迫在眉睫。

  趙總認(rèn)為，未來(lái)能夠在硅光行業(yè)中脫穎而出的企業(yè)需具備三項(xiàng)核心能力：一是完整的光電協(xié)同設(shè)計(jì)能力，實(shí)現(xiàn)光、電技術(shù)的深度融合優(yōu)化;二是與代工廠建立深度合作關(guān)系，保障穩(wěn)定的產(chǎn)能供應(yīng);三是與超算中心、AI數(shù)據(jù)中心等終端用戶(hù)深度協(xié)同，具備精準(zhǔn)匹配場(chǎng)景需求的定制化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力。量引科技在這三個(gè)方面精準(zhǔn)布局。

  進(jìn)入2026年，1.6T光互連將走向大批量應(yīng)用;3.2T作為下一代光互連技術(shù)的關(guān)鍵方向，是未來(lái)高速光通信的重要賽道。未來(lái)1-3年，公司研發(fā)端將持續(xù)投入200G/lane光器件的研發(fā)，攻關(guān)異質(zhì)集成400G/lane技術(shù);產(chǎn)能端已與具備成熟硅光產(chǎn)線的代工廠建立專(zhuān)線合作，從生產(chǎn)端保障產(chǎn)能可控，為產(chǎn)品規(guī)模化交付提供支撐。

  技術(shù)路線：MZM與MRM雙軌并行，滿(mǎn)足規(guī)?；桓稐l件

  技術(shù)方面，量引科技采用MZM(馬赫-曾德?tīng)栒{(diào)制器)與MRM雙技術(shù)路線并行策略。MZM技術(shù)成熟、性能可靠，可滿(mǎn)足當(dāng)前規(guī)?；桓缎枨?MRM在功耗、體積、高密度集成和波分復(fù)用方面具備優(yōu)勢(shì)，更適配3.2T及以上帶寬密度、更低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景，如CPO、OIO等。

  公司在低損耗相位調(diào)控結(jié)構(gòu)與高效熱調(diào)控補(bǔ)償機(jī)制方面進(jìn)行了大量工程優(yōu)化，有效提升了產(chǎn)品在功耗與集成度上的表現(xiàn)，回應(yīng)了國(guó)產(chǎn)硅光芯片在集成度與功耗方面的行業(yè)共性挑戰(zhàn)。

  2026年是量引科技產(chǎn)品攻堅(jiān)的關(guān)鍵年份，公司將推出800G、1.6T光芯片及MRM 1.6T工程樣品。產(chǎn)品發(fā)射端光損耗控制處于行業(yè)領(lǐng)先水平，MRM方案在調(diào)制效率與溫漂抑制方面取得突破，為NPO、CPO等高端光互連應(yīng)用提供了技術(shù)支持。

  商業(yè)化進(jìn)展方面，公司3.2T硅光芯片及CPO全線解決方案已進(jìn)入市場(chǎng)拓展階段，目前已與部分交換芯片廠商展開(kāi)初步接觸，待產(chǎn)品落地后將推進(jìn)聯(lián)合設(shè)計(jì)。產(chǎn)品核心應(yīng)用場(chǎng)景聚焦AI集群的Scale-Up與Scale-Out網(wǎng)絡(luò)，精準(zhǔn)匹配AI算力集群高速互連需求。

  趙總進(jìn)一步分析了終端客戶(hù)的痛點(diǎn)：現(xiàn)有可插拔光模塊中，近半數(shù)功耗與成本集中于DSP芯片，且高端DSP供應(yīng)存在一定市場(chǎng)集中度;未來(lái)高帶寬密度場(chǎng)景下，成本、功耗與散熱問(wèn)題將更加突出。MRM技術(shù)芯片面積小、功耗低，天然適配波分復(fù)用，是CPO的可行方案之一。通過(guò)高集成度設(shè)計(jì)與近距離光電共封裝，可有效降低SerDes功耗與信號(hào)損耗，助力客戶(hù)突破系統(tǒng)級(jí)功耗與密度瓶頸。

  良率是半導(dǎo)體產(chǎn)品商業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。據(jù)趙總介紹，公司核心產(chǎn)品良率穩(wěn)定在75%-80%，這得益于與代工廠在工藝與設(shè)計(jì)層面的深度協(xié)同，從全流程保障產(chǎn)品規(guī)?；a(chǎn)的穩(wěn)定性。

  錨定高端硅光芯片賽道 推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化升級(jí)

  在光通信芯片領(lǐng)域，純硅、III-V異質(zhì)集成、薄膜鈮酸鋰等技術(shù)路徑各有優(yōu)勢(shì)，形成互補(bǔ)格局。趙總認(rèn)為，純硅方案在成本與技術(shù)成熟度方面具備優(yōu)勢(shì)，是當(dāng)前市場(chǎng)的主流選擇;III-V異質(zhì)集成方案性能更優(yōu)，是未來(lái)高性能場(chǎng)景的重要發(fā)展方向;薄膜鈮酸鋰方案在超高速調(diào)制器方面表現(xiàn)突出，但集成度與工藝復(fù)雜度仍需進(jìn)一步突破。未來(lái)3-5年，純硅與III-V異質(zhì)集成路線將長(zhǎng)期并存，分別服務(wù)于成本敏感與性能敏感市場(chǎng)。

  AI算力驅(qū)動(dòng)下，光通信產(chǎn)業(yè)加速升級(jí)，硅光芯片成為光互連技術(shù)的重要發(fā)展方向，國(guó)產(chǎn)硅光產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。量引科技以高端市場(chǎng)為錨點(diǎn)，依托自主核心技術(shù)，逐步形成了差異化的技術(shù)路線與產(chǎn)品布局。隨著2026年800G、1.6T系列產(chǎn)品的推出，以及3.2T技術(shù)與CPO解決方案的持續(xù)推進(jìn)，量引科技有望在高端硅光芯片賽道占據(jù)重要位置，成為推動(dòng)國(guó)產(chǎn)硅光產(chǎn)業(yè)升級(jí)、參與全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的重要力量。

  關(guān)于量引科技

  珠海量引科技有限公司成立于2024年7月。量引科技聚焦光子集成電路領(lǐng)域，致力于硅光子傳輸芯片(PIC)，光模塊及共封裝光學(xué)(CPO)的研發(fā)及應(yīng)用。量引科技已研發(fā)多個(gè)高速硅光芯片核心IP，主要面向AI數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)通信及互聯(lián)網(wǎng)廠商，為多樣化的高帶寬、低功耗互聯(lián)場(chǎng)景提供芯片級(jí)解決方案。