銘鎵半導體再獲超億元融資 加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化進程

  ICC訊  北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在半導體材料領(lǐng)域再次獲得資本強力加持。近日，公司宣布順利完成A++輪超億元股權(quán)融資，本輪融資金額為1.1億元人民幣。此次投資由彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投、天鷹資本、國煜基金以及洪泰基金等多家機構(gòu)共同完成。融資完成后，銘鎵半導體的投后估值達到9.1億元。據(jù)統(tǒng)計，自公司成立以來，通過共計五輪融資，累計融資金額已接近4億元人民幣，這充分顯示了投資界對其技術(shù)路線和發(fā)展?jié)摿Φ某掷m(xù)看好。

  為正式標志本輪融資圓滿結(jié)束，并深化產(chǎn)業(yè)合作，銘鎵半導體于1月20日晚舉行了以“攜手共進·共創(chuàng)未來”為主題的簽約儀式暨慶祝晚宴?；顒釉陧樍x區(qū)經(jīng)信局及中關(guān)村順義園相關(guān)領(lǐng)導的見證下進行。儀式上，銘鎵半導體與超過二十家股權(quán)投資機構(gòu)、合作銀行以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游的重要企業(yè)進行了集中簽約。這一舉措不僅宣告了本輪融資的成功收官，更象征著公司正在有效整合資本與產(chǎn)業(yè)資源，推動業(yè)務從技術(shù)研發(fā)向規(guī)?；?、產(chǎn)業(yè)化市場應用扎實轉(zhuǎn)型。

  根據(jù)公司規(guī)劃，本輪所募集的資金將主要用于幾個關(guān)鍵方向。首要任務是推進6英寸氧化鎵襯底的核心技術(shù)研發(fā)與大規(guī)模量產(chǎn)工作。同時，資金將用于建設(shè)2至4英寸氧化鎵襯底的中試產(chǎn)線，為產(chǎn)品迭代和工藝成熟提供支撐。此外，公司還將投入資源用于超寬禁帶半導體未來產(chǎn)業(yè)的培育，并擴大磷化銦多晶產(chǎn)線的生產(chǎn)規(guī)模。這些投入直指提升核心產(chǎn)品產(chǎn)能與技術(shù)水平，鞏固市場地位。

  在眾多業(yè)務中，氧化鎵材料的突破尤為關(guān)鍵。氧化鎵被國際公認為第四代超寬禁帶半導體的代表性材料，而實現(xiàn)6英寸襯底的制備是該材料走向規(guī)模化流片制造的重要標志。銘鎵半導體在此領(lǐng)域的進展，將顯著加速國內(nèi)超寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的完善與規(guī)模擴張，為下游芯片制造和終端應用奠定基礎(chǔ)，對于提升我國在關(guān)鍵半導體材料領(lǐng)域的自主供應能力具有戰(zhàn)略意義。為達成產(chǎn)能目標，公司計劃增加20臺套適用于4至6英寸襯底生產(chǎn)的中試設(shè)備，預計全部投產(chǎn)后，氧化鎵襯底的年產(chǎn)能可達到3萬片。

  銘鎵半導體成立于2020年11月20日，法定代表人為陳政委。公司專注于新型半導體人工晶體材料的研發(fā)與生產(chǎn)，其主要產(chǎn)品線涵蓋第四代半導體材料氧化鎵、應用于高頻通信領(lǐng)域的磷化銦晶體以及大尺寸摻雜光學晶體。作為國內(nèi)較早從事氧化鎵材料研發(fā)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一，銘鎵半導體同時也是國內(nèi)少數(shù)能生產(chǎn)磷化銦晶體和大尺寸摻雜光學晶體的廠商，整體技術(shù)能力達到國際先進水平。

  公司總部設(shè)立于北京市順義區(qū)，并在河南省安陽市、山東省濟南市和廣東省深圳市設(shè)立了全資子公司。為了更好服務市場，公司在浙江義烏、上海、廣州、江西南昌等地設(shè)立了業(yè)務辦事處，形成了輻射全國的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售網(wǎng)絡(luò)。銘鎵半導體擁有一支近100人的國際化團隊，核心成員背景雄厚，既包括來自日本國立佐賀大學、東京大學、清華大學、九州大學、中國科學院等頂尖學術(shù)機構(gòu)的博士研發(fā)人員，也匯聚了來自博藍特、露笑科技、有研材料、中芯國際、美國通美等知名企業(yè)及科研院所、擁有十余年豐富經(jīng)驗的產(chǎn)業(yè)技術(shù)專家。

  回顧融資歷程，在本次A++輪之前，銘鎵半導體已獲得了洪泰基金、華控基金、英諾天使基金、之路資本、允泰基金、分享投資等眾多知名投資機構(gòu)的支持。公司展現(xiàn)出高成長性、高附加值的特征。目前，銘鎵半導體已全面進入量產(chǎn)階段，擁有超過30000平方米的生產(chǎn)線，致力于為全球客戶提供高質(zhì)量的半導體材料與技術(shù)服務。

  在市場表現(xiàn)方面，銘鎵半導體在2025年實現(xiàn)了年度產(chǎn)值3000萬元，營業(yè)收入2500萬元。公司預計，隨著新技術(shù)產(chǎn)能的釋放和市場拓展，2026年其產(chǎn)值和營業(yè)收入均有望突破1億元大關(guān)。

  銘鎵半導體將其長期發(fā)展對標行業(yè)標桿“國瓷材料”和“日本京瓷”，堅持以半導體材料技術(shù)為核心，以突破關(guān)鍵領(lǐng)域技術(shù)瓶頸、實現(xiàn)國產(chǎn)化替代為使命。此次獲得超億元融資，將為這家處于快速成長期的科技企業(yè)注入新的動能，有望進一步推動我國在超寬禁帶半導體這一前沿戰(zhàn)略材料領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展。